LeoMonteCrystal

        Числената симулация се основава на внедряването на модифициран клетъчен автоматичен модел на Монте Карло. Симулирана кристална повърхност е представена от двумерна матрица, където стойността и позицията на елементите определят триизмерното разположение на молекулата върху повърхността на кристала.
Относителните вероятности за приемане или излъчване на молекули се изчисляват въз основа на модела на термично активирана реакция в зависимост от близкото обкръжение на всяка молекула на повърхността, което позволява директно въвеждане на повърхностната енергия в модела на растежа на кристалите.
Моделът също така позволява изчисляването на дефекти от типа на концентрационния отвор, образувани в резултат на запушване на структурата на шийката на бутилката върху грубата повърхност.
Параметрите на единичен експеримент могат да бъдат въведени в панела с данни с гъвкав избор да се използват любимите мерни единици.

LeoMonteCrystal осигурява възможности за преобразуване на единица, позволявайки да се използват първоначални параметри, определени в различни системи на единиците, според обичайното за потребителя.
Панелът за въвеждане на данни моментално показва теоретичните стойности за скоростта на кристалите на скоростта, изчислени за конкурентни теоретични модели и плюс най-ценните - с формули, установени в резултат на нашите изследвания за даден набор от първоначални параметри.
Температурната зависимост на скоростта на растеж, на грапавостта на повърхността и концентрацията на дефектите, изчислени от нашите формули, са показани на отделна диаграма.
След модифицирането на всеки един от параметрите всички надеждни променливи се актуализират автоматично, осигурявайки функционалност на термодинамичния и кристалографския калкулатор.
Често използваният набор от параметри, съответстващ на интересуващото ви съединение, може да бъде записан или импортиран в или от файл, дефиниран с кома (съвместим с MS Excel).
В панела "Резултати" по време на симулацията има графики, показващи времевата скала на: разстоянието на прогреса на растежа на повърхността на кристала, неговата грапавост, моментното нарастване и концентрацията на отворите като дефекти.
    

Какво е новото в това издание:

Версия 1.1: Температурната зависимост на скоростта на растежа, концентрацията на повърхностната деформация и дефектите, изчислени от нашето собствено състояние на формулите на изкуството, се показват в отделна диаграма.